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技術(shù)編號(hào)：7242300

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本發(fā)明公開(kāi)了用于在同一襯底(例如硅)上的異質(zhì)材料，例如III-V族半導(dǎo)體材料和IV族半導(dǎo)體(例如Ge)的共同集成的架構(gòu)和技術(shù)。在實(shí)施例中，具有交替的納米線和犧牲層的多層異質(zhì)半導(dǎo)體材料堆疊體用來(lái)釋放納米線并允許完全圍繞納米線晶體管的溝道區(qū)的同軸柵極結(jié)構(gòu)的形成。在實(shí)施例中，單獨(dú)的PMOS和NMOS溝道半導(dǎo)體材料與具有交替的Ge/III-V層的覆蓋層的起始襯底共同集成。在實(shí)施例中，在單獨(dú)PMOS和單獨(dú)NMOS器件內(nèi)的多個(gè)堆疊的納米線的垂直集成使能給定的布局區(qū)域的...
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