技術編號：7242376
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及一種晶體管。本實用新型的晶體管包括半導體襯底；形成在所述半導體襯底上的柵極電介質(zhì)；形成在所述柵極電介質(zhì)上的柵極；位于所述半導體襯底中、且分別在所述柵極兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)，其中至少所述源區(qū)和漏區(qū)之一包含在平行于襯底表面的方向上排列的多個位錯；位于所述源區(qū)和漏區(qū)上方的含硅外延半導體層；以及位于所述外延半導體層上方的金屬硅化物層。專利說明晶體管[0001]本實用新型涉及半導體器件制造領域，尤其涉及一種晶體管。背景技術[0002]通常，集成電路包含形成...
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