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技術(shù)編號(hào)：7243520

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本發(fā)明公開了一種隔離型N型LDMOS器件，包括SOI襯底，包括底層硅、埋氧化層和頂層硅；溝道區(qū)形成于頂層硅中，溝道區(qū)的底部和底層硅通過埋氧化層隔離；漂移區(qū)形成于頂層硅和埋氧化層去除后形成的硅外延層中，漂移區(qū)的底部和底層硅相接觸。本發(fā)明還公開了一種隔離型N型LDMOS器件的制造方法。本發(fā)明能徹底消除溝道區(qū)與P型襯底之間的穿通問題，能減少N型漂移區(qū)的結(jié)深、提高N型漂移區(qū)的摻雜濃度以及降低器件的導(dǎo)通電阻，還能減小器件的尺寸和寄生電容、提高器件開關(guān)速度，并能防止熱...
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