技術(shù)編號：7244772
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種器件，包括半導(dǎo)體芯片中的半導(dǎo)體區(qū)，在所述半導(dǎo)體區(qū)上方的柵極介電層，以及在所述柵介電層上方的柵電極。漏極區(qū)設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)的頂面處并且與所述柵電極相鄰。柵極間隔件在所述柵電極的側(cè)壁上。介電層設(shè)置在柵電極和所述柵極間隔件上方。導(dǎo)電場板位于所述介電層上方，其中所述導(dǎo)電場板具有在所述柵電極的漏極側(cè)上的部分。深金屬通孔設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)中。源電極位于所述半導(dǎo)體區(qū)的下方，其中所述源電極通過所述深金屬通孔與所述導(dǎo)電場板電短接。本發(fā)明還公開了垂直功率MO...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。