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技術(shù)編號：7245265

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本發(fā)明提供一種平面型VDMOS晶體管及其制備方法，屬于VDMOS晶體管器件領(lǐng)域。該平面型VDMOS晶體管包括襯底、在襯底上形成的外延層、在外延層中形成的體區(qū)和源區(qū)、在外延層上形成的柵介質(zhì)層以及柵電極；其中，所述柵介質(zhì)層所對應(yīng)的部分所述外延層的上表面形成有一條或多條基本平行于該平面型VDMOS晶體管的溝道方向的凹槽，所述凹槽之上所對應(yīng)的部分所述柵介質(zhì)層相應(yīng)地下凹以形成凹凸?fàn)顤沤橘|(zhì)層。本發(fā)明的平面型VDMOS晶體管具有導(dǎo)通電阻小、在開關(guān)應(yīng)用時損耗小且無電磁干擾...
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