技術(shù)編號(hào)：7246148
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，包括提供半導(dǎo)體基材，基材上具有凹槽；在凹槽中形成柵極介電層；在凹槽中沉積柵極材料層；在柵極材料層上形成介電蓋層；圖案化介電蓋層和柵極材料層以形成柵極圖案；在柵極圖案上形成襯墊層；在柵極圖案各側(cè)壁的襯墊層上形成間隙壁；蝕刻未被間隙壁覆蓋的襯墊層，以形成一內(nèi)凹底切，其暴露出部分柵極材料層；去除間隙壁；和在內(nèi)凹底切內(nèi)將暴露出來的柵極材料層氧化成絕緣體。專利說明制作四入式信道存儲(chǔ)晶體管裝置的方法[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置制造方法。特別...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。