技術(shù)編號(hào):7248156
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種低溫度系數(shù)硅電壓基準(zhǔn)二極管的制作方法及結(jié)構(gòu),該方法通過(guò)硅正向PN結(jié)具有的負(fù)溫度系數(shù)與硅反向PN結(jié)具有的正溫度系數(shù)進(jìn)行補(bǔ)償作用制成低溫度系數(shù)硅電壓基準(zhǔn)二極管的管芯。本發(fā)明采用一顆雙面擴(kuò)散的硅芯片疊加兩顆單面擴(kuò)散的硅芯片的新型結(jié)構(gòu)替代原來(lái)的一顆三層外延生長(zhǎng)的硅芯片疊加一顆單面擴(kuò)散的硅芯片結(jié)構(gòu)。工藝過(guò)程簡(jiǎn)單,工藝控制難度小,且溫度系數(shù)對(duì)檔率比原來(lái)提高了30%左右,溫度系數(shù)可以達(dá)到5×10-6/℃,在電路中具有很好的電壓基準(zhǔn)作用。其產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性...
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