技術編號：7249130
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是一種基座，其在進行外延層的氣相生長時支撐半導體基板，其特征在于，在基座的上表面上，形成有內部配置半導體基板的凹坑，該凹坑呈雙層結構，具有支撐半導體基板的外周緣部的上層凹坑部、與在該上層凹坑部的下層且形成于中心側的下層凹坑部，在下層凹坑部中，形成有貫穿至前述基座的背面且在進行氣相生長時為敞開狀態(tài)的貫穿孔，在基座的背面?zhèn)?，與上層凹坑部相對應的位置處設置有溝槽。由此，提供一種，所述基座可以降低半導體基板外周部上且基座的背面?zhèn)鹊呐c上層凹坑部相對應的位置處的...
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