技術(shù)編號：7249138
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文描述用于使用氨和水蒸氣的基材表面的羥化的系統(tǒng)與方法。專利說明原位羥化系統(tǒng)[0001]本發(fā)明的實(shí)施例大體上關(guān)于用以在基材的表面上產(chǎn)生羥基的系統(tǒng)與方法。背景技術(shù)[0002]在各種工業(yè)(包括半導(dǎo)體處理、擴(kuò)散阻障涂層與用于磁性讀/寫頭的電介質(zhì))中，薄膜在基材表面上的沉積是重要的工藝。在半導(dǎo)體工業(yè)中，小型化可涉及薄膜沉積的原子水平控制，以在高深寬比結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生共形涂層。一種用于薄膜沉積而具有原子層控制和共形沉積的方法是原子層沉積(ALD), ALD利用依序的自我限...
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