技術(shù)編號：7249396
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種以濕式蝕刻方法在氧化鋅薄膜上形成納米單位的凹凸結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備基板的步驟；形成具有納米范圍的高度與寬度的納米結(jié)構(gòu)的步驟；在形成有所述納米結(jié)構(gòu)的基板上形成氧化鋅薄膜的步驟；以及對所述氧化鋅薄膜進行濕式蝕刻的步驟；在所述進行濕式蝕刻的步驟中，位于所述納米結(jié)構(gòu)上、物理致密性相對較低的氧化鋅先被蝕刻，在所述納米結(jié)構(gòu)的周邊，借助于蝕刻而形成凹凸結(jié)構(gòu)。本發(fā)明具有不僅能夠在凹凸結(jié)構(gòu)上均一地形成薄膜，而且電解質(zhì)或有機物能夠在凹凸結(jié)構(gòu)之間均一地...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。