技術編號：7250501
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。可控硅整流器的裝置結構、制造方法、操作方法和設計結構。該方法包括以足以調(diào)制可控硅整流器（SCR）的觸發(fā)電流的水平施加機械應力到SCR的一個區(qū)域。該裝置和設計結構包括SCR（62），SCR（62）具有陽極（63）、陰極（65）、第一區(qū)域（14）和導電類型與第一區(qū)域相反的第二區(qū)域（16）。SCR的第一和第二區(qū)域設置在SCR的陽極和陰極之間的載流通道中。層（26）相對于第一區(qū)域設置在半導體襯底（30）的頂表面上，并且構造成使在SCR的第一區(qū)域中引起的機械應力處于...
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