技術(shù)編號:7252464
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請公開了用于使用鎵輔助的(Ga輔助的)蒸氣-液體-固體(VLS)生長,即不需要金催化劑顆粒,制造磷砷化鎵(GaAsP)納米結(jié)構(gòu)的技術(shù)。所得到的Ga輔助的GaAsP納米結(jié)構(gòu)是不含金顆粒的,這使它們對于光電應(yīng)用是有用的,例如作為太陽能電池中的結(jié)。Ga輔助的GaAsP納米結(jié)構(gòu)可以被制造為具有在1.6至1.8eV的范圍內(nèi)(例如在以及約1.7eV)的帶隙。專利說明GaAsP納米結(jié)構(gòu)的Ga輔助的生長、不含金的GaAsP納米結(jié)構(gòu)及包含該納米結(jié)構(gòu)的光伏電池發(fā)明領(lǐng)域[0...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。