技術(shù)編號:7253822
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。所公開的是與用于諸如磷化銦鎵(InGaP)的選擇的半導(dǎo)體的金屬化的阻擋層有關(guān)的結(jié)構(gòu)和方法。在一些實施例中,所述阻擋層可包括氮化鉭(TaN)。這種阻擋層可提供期望的特性,比如阻擋功能性、改善的金屬層粘附性、降低的擴散性、金屬與InGaP之間的降低的反應(yīng)性以及制造過程中的穩(wěn)定性。在一些實施例中,以這種方式形成的結(jié)構(gòu)可被構(gòu)造為砷化鎵(GaAs)異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的發(fā)射極或片上高值電容元件。在一些實施例中,一些前述結(jié)構(gòu)可被構(gòu)造為具有代表該發(fā)射極層厚度的電容...
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