技術(shù)編號：7253827
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。豎直制作的非易失性存儲器器件在漏極區(qū)域與浮柵之間具有電容耦合。一種兩端子可編程非易失性器件(200)包括關(guān)于襯底豎直設(shè)置的浮柵(210)，其中浮柵包括第一側(cè)(213)、第二側(cè)(215)和底部部分(217)。源極區(qū)域(240)被耦合到第一端子并且鄰近浮柵的第一側(cè)而形成。漏極區(qū)域(220)被耦合到第二端子并且鄰近浮柵的第二側(cè)而形成。非易失性器件包括耦合源極區(qū)域和漏極區(qū)域用于編程和擦除操作的溝道(290)。漏極區(qū)域被電容地耦合到浮柵。溝道可以被凹陷在襯底中或者襯...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。