技術(shù)編號：7253851
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有以下工序?qū)⑿纬捎泻枘さ囊r底收容于處理室內(nèi)的工序；從氣體供給部向處理室內(nèi)供給氣體而使處理室內(nèi)成為大氣壓以上的壓力的工序；和從處理液供給部向襯底供給處理液而將含硅膜氧化的氧化工序。專利說明半導(dǎo)體器件的制造方法、半導(dǎo)體器件的制造裝置及記錄介質(zhì)[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法、半導(dǎo)體器件的制造裝置及記錄介質(zhì)。背景技術(shù)[0002]隨著例如大規(guī)模集成電路(Large Scale Integrated Circuit以下,稱為LSI)等半導(dǎo)體器件的微細(xì)化...
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