技術(shù)編號：7255170
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種提高氮化物L(fēng)ED外延片發(fā)射波長均勻性的生長方法，涉及半導(dǎo)體光電子領(lǐng)域。本發(fā)明的方法步驟為①對外延片進(jìn)行有源區(qū)薄膜生長時，先確定凹槽表面的等溫面空間分布及其彎曲度；②調(diào)整托盤的加熱溫度，使外延片表面的溫度與目標(biāo)發(fā)射波長相匹配；同時，通過改變外延片的結(jié)構(gòu)參數(shù)和工藝條件來調(diào)整其彎曲度，使外延片彎曲度和凹槽表面等溫面的彎曲度相等。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明生長方法通過控制外延片晶體生長時的彎曲度，有效提高氮化物L(fēng)ED或LD外延片發(fā)射波長均勻性。專利說明一種提高氮化...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。