技術(shù)編號(hào)：7256443
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種終端與有源區(qū)形成弱電連接的結(jié)構(gòu)，包括襯底結(jié)構(gòu)、場(chǎng)限環(huán)結(jié)構(gòu)、鈍化層、基區(qū)結(jié)構(gòu)、發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)、多晶硅柵結(jié)構(gòu)、覆蓋有源區(qū)的金屬電極、通過氧化層開孔與主結(jié)和第一級(jí)場(chǎng)限環(huán)連接的金屬電極、及與多晶硅柵結(jié)構(gòu)連接的柵極電極，本發(fā)明提供的一種終端與有源區(qū)形成弱電連接的結(jié)構(gòu)，是在傳統(tǒng)終端結(jié)構(gòu)的形成終端鈍化層的基礎(chǔ)上，在終端主結(jié)和第一級(jí)場(chǎng)限環(huán)之間刻蝕鈍化層形成金屬接觸窗口，使得該位置與有源區(qū)的金屬形成電學(xué)連接。本發(fā)明提供的一種終端與有源區(qū)形成弱電連接的結(jié)構(gòu)，可以防...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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