技術(shù)編號：7256965
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供，與現(xiàn)有技術(shù)純濕法刻蝕硬掩膜形成的預(yù)填充制備浮柵的溝槽相比較，本發(fā)明形在兩次濕法刻蝕第一硬掩膜之間增加了對隔離結(jié)構(gòu)的濕法刻蝕以形成橫截面為T型的溝槽，一方面由于該溝槽為T型輪廓，有利于增大后續(xù)預(yù)制備的浮柵及控制柵的接觸面積，以提高柵耦合系數(shù)，從而提高閃存存儲器的額定漏電流及擦除速度，另一方面，在兩次濕法刻蝕第一硬掩膜之間增加對隔離結(jié)構(gòu)的濕法刻蝕，降低該溝槽的深寬比，在后續(xù)填充制備浮柵時避免產(chǎn)生空洞缺陷，有利于提高后續(xù)填充溝槽形成浮柵的致密性，不僅...
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