技術編號：7256966
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供，與現(xiàn)有技術純濕法刻蝕硬掩膜形成的預填充制備浮柵的溝槽相比較，本發(fā)明形在兩次濕法刻蝕第一硬掩膜之間增加了對隔離結構的物理化學性刻蝕，在溝槽開口拐角處形成倒角，使本發(fā)明在保證足夠大相鄰浮柵間的間距、降低相鄰浮柵之間干擾的前提下，降低溝槽的深寬比，在后續(xù)填充制備浮柵時避免產(chǎn)生空洞缺陷，有利于提高后續(xù)填充溝槽形成浮柵的致密性，不僅可提高閃存存儲器的數(shù)據(jù)保存能力，還可以解決由空洞缺陷造成的后續(xù)制備隧穿氧化層的不完整性，以提高器件的可靠性；進一步，物理化學...
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