技術(shù)編號(hào)：7256967
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供，該器件至少包括第一導(dǎo)電類型襯底；所述第一導(dǎo)電類型襯底中離子注入有第二導(dǎo)電類型的第一深阱區(qū)；所述第一深阱區(qū)上離子注入有第二導(dǎo)電類型的第二深阱區(qū)，其中，所述第二深阱區(qū)的摻雜濃度大于第一深阱區(qū)的摻雜濃度；所述第二深阱區(qū)上離子注入有第一導(dǎo)電類型的中壓阱區(qū)。本發(fā)明通過在第二導(dǎo)電類型的第一深阱區(qū)和第一導(dǎo)電類型的中壓阱區(qū)之間設(shè)置第二導(dǎo)電類型的第二深阱區(qū)，該高濃度的第二深阱區(qū)用來隔離低濃度的第一深阱區(qū)，抑制了中壓阱區(qū)/第一深阱區(qū)/襯底形成的縱向晶體管的寄生效應(yīng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。