技術(shù)編號：7256968
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種，至少包括以下步驟提供一晶片，將所述晶片置于反應(yīng)腔內(nèi)；先在所述晶片上噴灑O3的水溶液以去除所述晶片上的有機雜質(zhì)并在所述晶片上形成氧化層；然后在所述晶片上噴灑稀釋的氫氟酸以溶解所述氧化層并去除所述晶片上的雜質(zhì)顆粒；接著在所述晶片上噴灑O3的水溶液以在所述晶片上再次形成氧化層；最后在所述晶片上噴灑SC1溶液以進(jìn)一步去除所述晶片上的雜質(zhì)顆粒。本發(fā)明的能夠大幅提高晶片的清潔度，有利于產(chǎn)品良率的提升，并顯著降低晶片清洗成本。專利說明 [0001]...
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