技術(shù)編號：7256972
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種，其中，所述掩膜層的形成方法包括提供襯底；在所述襯底表面形成低溫氧化物層，所述低溫氧化物層表面粗糙并且吸附有形成所述低溫氧化物層的反應(yīng)氣體；對所述低溫氧化物層進(jìn)行處理，驅(qū)除所述反應(yīng)氣體；在所述低溫氧化物層表面形成光刻膠層。所述掩膜層的形成方法，可以提高所述掩膜圖形的準(zhǔn)確度，提高采用所述掩膜層為掩膜形成的互連結(jié)構(gòu)的連接性能。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種掩膜層的形成方法、互連結(jié)構(gòu)的形成 方法和檢測方法。 背景技術(shù) [00...
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