技術編號：7257172
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供了一種，所述包括提供半導體襯底；在所述半導體襯底上形成PETEOS層，并對所述PETEOS層執(zhí)行CMP工藝；對經(jīng)過CMP工藝的PETEOS層執(zhí)行等離子體處理，所述等離子體處理所使用的離子為氧離子；在經(jīng)過等離子體處理的PETEOS層上形成無定形碳層。通過對經(jīng)過CMP工藝的PETEOS層執(zhí)行等離子體處理，去除了PETEOS層表面的碳殘留，從而避免了無定形碳層上形成凸起，提高了無定形碳層的質(zhì)量。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及集成電路，特別涉及...
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