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技術(shù)編號：7258164

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本發(fā)明提供一種LDNMOS管的制備方法。根據(jù)本發(fā)明的方法，先在基底的摻雜層基于漏極區(qū)的位置開設(shè)第一溝槽，隨后，圍繞所述第一溝槽形成第一漂移區(qū)、并基于源極區(qū)的位置形成第二漂移區(qū)；接著，以絕緣材料填充所述第一溝槽，并使所形成的結(jié)構(gòu)表面平坦化；最后在經(jīng)過溝槽填充的結(jié)構(gòu)上形成柵極區(qū)。優(yōu)選地，在基底的摻雜層基于源極區(qū)的位置還可開設(shè)第二溝槽，并圍繞所述第二溝槽來形成第二漂移區(qū)。由此，采用本發(fā)明的LDNMOS管的制備方法來形成的LDNMOS管，可有效降低LDNMOS管的...
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