技術(shù)編號：7258463
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種，包括如下步驟對導電陽極基底進行表面預處理；在所述導電陽極基底上依次蒸鍍形成空穴注入層和空穴傳輸層；通過遞增工藝和遞減工藝在所述空穴傳輸層上蒸鍍形成發(fā)光層；以及在所述發(fā)光層上依次蒸鍍形成電子傳輸層、電子注入層和陰極層。這種，遞增工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次提高，遞減工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次降低，通過主體材料和客體材料的漸進式混合，提高了主客體的能量轉(zhuǎn)換效率。專利...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。