技術(shù)編號(hào):7258467
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu),包括半導(dǎo)體襯底;位于半導(dǎo)體襯底表面的平行排列的若干個(gè)N型橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管;位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)的P型體區(qū),P型體區(qū)內(nèi)具有源極、溝道區(qū)和體區(qū)連接區(qū),體區(qū)連接區(qū)位于每一個(gè)N型橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管靠近源極的外側(cè);每一個(gè)N型橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極與靜電放電輸入端相連接,每一個(gè)N型橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極與接地端相連接,每一個(gè)N型橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與第一控制電壓端相連接,每一個(gè)體區(qū)連接區(qū)與第二控制電壓端相連接。多個(gè)LDMOS晶體管...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。