技術(shù)編號(hào)：7258609
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。提供了一種垂直存儲(chǔ)器件及其制造方法。垂直型半導(dǎo)體器件包括形成在半導(dǎo)體襯底的單元區(qū)中的公共源極區(qū)。溝道區(qū)形成在公共源極區(qū)上。溝道區(qū)具有預(yù)定高度和第一直徑。漏極區(qū)形成在溝道區(qū)上。漏極區(qū)具有預(yù)定高度和比第一直徑大的第二直徑。第一柵電極包圍溝道區(qū)。專利說明[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用[0002]本申請(qǐng)要求2012年12月14日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2012-0146381的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。[0003]各種實(shí)施例總體...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。