技術(shù)編號：7259129
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種，所述靜電放電保護結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體基片，貫穿所述半導(dǎo)體基片的硅通孔結(jié)構(gòu)，所述硅通孔結(jié)構(gòu)包括第一表面和第二表面；位于所述硅通孔結(jié)構(gòu)的第一表面的隧穿介質(zhì)層，所述隧穿介質(zhì)層的面積大于所述硅通孔結(jié)構(gòu)的俯視面積，使得所述隧穿介質(zhì)層還覆蓋硅通孔結(jié)構(gòu)周圍的部分半導(dǎo)體基片表面，且所述隧穿介質(zhì)層內(nèi)離散分布有金屬材料。在未進行靜電放電時，利用隧穿介質(zhì)層使得第一電極和第二電極電學(xué)隔離；當(dāng)靜電放電時，由于靜電電壓很高，使得隧穿介質(zhì)層內(nèi)離散分布的金屬材料之間發(fā)生隧穿效應(yīng)，第一電極...
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