技術(shù)編號：7259448
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。公開了。一示例存儲陣列可以包括成行列設(shè)置以形成陣列的多個(gè)基于第一納米線的選擇晶體管；以及在選擇晶體管陣列上堆疊的多個(gè)存儲單元層，每一存儲單元層包括與選擇晶體管陣列相對應(yīng)的阻變器件的陣列。阻變器件可以包括由第二納米線、繞第二納米線形成的阻變材料層以及繞阻變材料層形成的電極層構(gòu)成MIM配置。該存儲陣列還可以包括多條選擇線，每一條選擇線電連接至相應(yīng)的一行選擇晶體管；多條位線，每一條位線電連接至相應(yīng)的一列選擇晶體管的一端，各選擇晶體管的另一端分別電連接至相鄰的存儲...
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