技術(shù)編號：7259525
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明基于用于制造二極管的方法和根據(jù)該方法制造的二極管。由半導(dǎo)體晶片產(chǎn)生PN結(jié)或NP結(jié)，其平面地在半導(dǎo)體晶片10的上側(cè)3上延伸。以垂直于半導(dǎo)體晶片10的上側(cè)3的方式形成分開邊沿6，分開邊沿延伸超過PN結(jié)或NP結(jié)。半導(dǎo)體晶片10的分開通過從干擾11出發(fā)借助局部加熱11和局部冷卻13半導(dǎo)體晶片13進(jìn)行由干擾11引起的裂紋擴(kuò)散的方式來進(jìn)行。這樣形成的分離裂紋優(yōu)選沿著半導(dǎo)體晶體的晶體平面進(jìn)行，由此不通過在PN結(jié)或NP結(jié)的區(qū)域中構(gòu)建干擾位置來實(shí)現(xiàn)。專利說明用于制造二...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。