技術(shù)編號：7260203
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于塊體FinFET技術(shù)的漏極延伸MOS器件。一些方面涉及一種包括被布置在半導(dǎo)體襯底之上且在源極區(qū)和漏極區(qū)之間側(cè)向延伸的半導(dǎo)體鰭的FinFET。淺溝槽隔離（STI）區(qū)側(cè)向包圍半導(dǎo)體鰭的下部，并且半導(dǎo)體鰭的上部保留在STI區(qū)之上。柵極電極橫越在半導(dǎo)體鰭之上以在導(dǎo)電柵極電極之下的半導(dǎo)體鰭中定義溝道區(qū)。穿通阻斷區(qū)能夠在半導(dǎo)體鰭的下部中在源極區(qū)和溝道區(qū)之間延伸。漏極延伸區(qū)能夠在半導(dǎo)體鰭的下部中在漏極區(qū)和溝道區(qū)之間延伸。還公開了其他器件和方法。專利說明用于...
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