技術(shù)編號(hào)：7261803
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種氧化物半導(dǎo)體、使用該氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管、和使用該薄膜晶體管的顯示裝置，其一個(gè)目的是控制氧化物半導(dǎo)體的組成和缺陷，另一個(gè)目的是提高薄膜晶體管的場(chǎng)效應(yīng)遷移率，并通過減小截止電流來獲得充分的通斷比。所采用的技術(shù)方案是采用其組成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半導(dǎo)體，其中M為選自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一種或多種元素，且m優(yōu)選地為大于或等于1且小于50的非整數(shù)。Zn的濃度低于In和M的濃度。氧化物半導(dǎo)體具有非晶結(jié)構(gòu)?？梢耘渲?..
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。