技術編號：7262185
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供一種存儲器制造工藝及以其制造的存儲器結(jié)構(gòu)。首先提供基底，基底中有溝渠及埋入溝渠中的導線，且基底上有陣列區(qū)，其中各個導線有一陣列部分位于陣列區(qū)中。在基底上定義與陣列區(qū)分離的接觸區(qū)，其中各個導線有一接觸部分位于接觸區(qū)中。對在導線的接觸部分之間的基底進行蝕刻至低于導線的頂部，以在導線的接觸部分之間形成間隙。接著以絕緣層填充間隙。專利說明存儲器制造工藝及以其制造的存儲器結(jié)構(gòu)[0001]本發(fā)明是有關于一種存儲器制造工藝，且特別是有關于一種避免埋入式導線彎曲...
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