技術(shù)編號：7262872
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種，首先于形成半導(dǎo)體材料、介電材料及導(dǎo)體材料等層體的基板上用第一灰階光罩形成由光阻構(gòu)成且各種不同厚度的第一圖案層，逐步移除該第一圖案層，并自厚度最薄處供所述層體表面裸露，再搭配蝕刻所述層體及對半導(dǎo)體材料摻雜載子，而形成第一型摻雜區(qū)，再移除剩余的第一圖案層結(jié)構(gòu)，得到一具有由對應(yīng)該第一中心部的導(dǎo)電層、介電層和半導(dǎo)體層，及該第一型摻雜區(qū)的晶體管，本發(fā)明利用一個灰階光罩，即可制作出一個晶體管的基本架構(gòu)，較現(xiàn)有使用多個光罩的制程而言，節(jié)省更多的材料成本與制程時間。...
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