技術(shù)編號(hào)：7263092
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)以往，有產(chǎn)品通過向單晶硅基板或多晶硅基板中導(dǎo)入磷或砷等雜質(zhì)，形成pn結(jié)制成太陽(yáng)能電池。通常已知的是在這種太陽(yáng)能電池中，一旦以pn結(jié)形成的電子及電子空穴再結(jié)合，則轉(zhuǎn)換效率(發(fā)電效率)降低。由此提出一種選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)的方案，在導(dǎo)入雜質(zhì)時(shí)，提高導(dǎo)入與表面電極接觸部分的雜質(zhì)的濃度并將無(wú)該電極的部分上的發(fā)射極層局部設(shè)置為高電阻。以往，在這種選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)中的雜質(zhì)導(dǎo)入是通過涂布擴(kuò)散法(噴霧法)來(lái)進(jìn)行的(例如，參考專利文獻(xiàn)I)。在該涂布擴(kuò)散法中，...
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