技術(shù)編號：7263341
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供，包括提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成凹槽；對所述凹槽實施預(yù)處理；在所述凹槽的底部形成籽晶層；在所述籽晶層上形成嵌入式鍺硅層，以完全填充所述凹槽；在所述嵌入式鍺硅層上形成帽層。根據(jù)本發(fā)明，在降低溫度和處理時間的情況下，可以確保對所述凹槽的預(yù)處理達(dá)到對所述凹槽的潔凈度的要求，保證后續(xù)外延生長所述籽晶層和所述嵌入式鍺硅層的質(zhì)量。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，具體而言涉及一種...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。