技術編號:7263343
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。一種,所述鰭式場效應晶體管包括基底;位于所述基底上的鰭部;位于所述鰭部側壁和上表面的緩沖層;位于所述緩沖層上的GaN層,所述緩沖層用于減小GaN層內的應力;位于所述GaN層上的柵介質層;位于所述柵介質層上的柵極,所述柵極橫跨所述鰭部。本技術方案提供的鰭式場效應晶體管的閾值電壓穩(wěn)定、驅動電流大、功耗小,而且能在較高溫度下工作。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導體領域,特別涉及到一種。 背景技術 [0002]隨著半導體技術的發(fā)展,半導體器件的關鍵尺...
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