技術(shù)編號(hào):7263352
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種溝槽型MOS勢(shì)壘肖特基二極管及制作方法,其中溝槽型MOS勢(shì)壘肖特基二極管,包括一襯底;一外延薄膜,其制作在襯底上,該外延薄膜的中間有一凸臺(tái),該凸臺(tái)的側(cè)壁為平面;一保護(hù)環(huán),其制作在外延薄膜的凸臺(tái)的周?chē)?,并位于凸臺(tái)周?chē)钠矫嫦蛳?;一絕緣介質(zhì)薄膜,其制作在外延薄膜的凸臺(tái)周?chē)膫?cè)壁上,高度與外延薄膜的凸臺(tái)齊平,并位于保護(hù)環(huán)上,位于保護(hù)環(huán)上的部分的高度低于凸臺(tái)的表面,其斷面為L(zhǎng)形;一肖特基接觸金屬,其制作在絕緣介質(zhì)薄膜的表面,并覆蓋外延薄膜凸臺(tái)的表面;一第一壓焊...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。