技術(shù)編號(hào):7264674
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供,包括提供半導(dǎo)體襯底;在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成柵極介電層和柵極材料層;圖案化所述柵極材料層和所述柵極介電層,以形成柵極;執(zhí)行LDD注入;在所述半導(dǎo)體襯底上所述柵極的兩側(cè)形成側(cè)墻結(jié)構(gòu);其中,所述LDD注入步驟包括第一離子注入步驟和第二離子注入步驟,先執(zhí)行所述第一離子注入步驟再執(zhí)行所述第二離子注入步驟或者先執(zhí)行所述第二離子注入步驟再執(zhí)行所述第一離子注入步驟,所述第一離子注入的離子劑包括硅或者鍺;在執(zhí)行LDD注入之后直接進(jìn)行側(cè)墻薄膜的熱處理工藝。綜上...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。