技術編號：7265047
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供一種，包括在半導體襯底中形成NMOS區(qū)域和PMOS區(qū)域以及接觸孔，接觸孔的形成包括在完成半導體器件前道工藝后，在整個半導體襯底上沉積金屬前介質層；在金屬前介質層中形成第一種接觸孔結構，并填入第一種金屬填充物，經(jīng)化學機械拋光后形成第一種接觸孔；然后在金屬前介質層中形成第二種接觸孔結構，并填入第二種金屬填充物，經(jīng)化學機械拋光后形成第二種接觸孔；由于分別在第一接觸孔結構和第二接觸孔結構中填充了不同的金屬填充物，從而能夠同時提高NMOS溝道和PMOS溝道...
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