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技術(shù)編號：7265149

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一種能消除負阻效應(yīng)的RC-IGBT，屬于半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域。本發(fā)明在傳統(tǒng)RC-IGBT基礎(chǔ)上，通過版圖設(shè)計將IGBT區(qū)域設(shè)計在有源區(qū)，二極管區(qū)域設(shè)計在IGBT的四周形成過渡區(qū)。通過這樣的版圖設(shè)計，使得器件工作在IGBT模式下，IGBT區(qū)域?qū)⒉粫绞芏O管的影響；二極管模式下時，二極管的性質(zhì)也不會受到IGBT的影響。同時，在二極管工作模式時，采用P型過渡區(qū)作為二極管的陽極，N型集電極作為二極管的陰極，會提高二極管的導(dǎo)通性能。仿真驗證在正向?qū)ǖ臅r候，本發(fā)明沒...
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