技術(shù)編號(hào):7265205
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管及其制造方法。LDMOS晶體管包括第一導(dǎo)電類型的第一阱;形成于第一阱內(nèi)的第二導(dǎo)電類型的源極;形成于第一阱內(nèi)并與源極分開(kāi)的第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū);形成于漂移區(qū)內(nèi)的第二導(dǎo)電類型的漏極;及形成于漂移區(qū)內(nèi)并與漏極分開(kāi)的第二導(dǎo)電類型的集中器,集中器至源極的第一距離小于漏極至源極的第二距離。本發(fā)明的LDMOS晶體管及其制造方法提升了LDMOS晶體管的ESD性能,延長(zhǎng)了LDMOS晶體管的使用壽命。專利說(shuō)明[000...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。