技術(shù)編號：7265864
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明揭示了一種，在半導體襯底的淺溝槽的頂部角落注入原子量大于100的注入元素。在本發(fā)明中，所述淺溝槽的頂部角落的注入元素的質(zhì)量較大，不易發(fā)生逃逸，可以對淺摻雜區(qū)的元素進行補償；并且，所述注入元素位于所述淺溝槽的頂部角落，可以阻擋所述淺摻雜區(qū)的元素的逃逸，從而減少或避免器件的雙峰效應(yīng)所引發(fā)的在低于閾值電壓條件下容易發(fā)生的靠近淺溝槽頂部角落的器件提前開啟所造成的漏電，提高器件的電性能。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種。 ...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。