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技術(shù)編號(hào)：7441460

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本發(fā)明屬于電力系統(tǒng)領(lǐng)域，具體涉及一種新型的IGBT高壓串聯(lián)閥控制監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。 背景技術(shù)20世紀(jì)80年代中期出現(xiàn)的半導(dǎo)體電力開關(guān)器件——絕緣柵雙極型晶體管 IGBTdnsulated Gate Biploar ^Transistor)是一種復(fù)合器件，它的輸入控制部分為 M0SFET，輸出級(jí)為雙極結(jié)型晶體管，兼有MOSFET和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)高輸入阻抗，電壓控 制，驅(qū)動(dòng)功率小，開關(guān)速度快，工作頻率可達(dá)10 40kHz，飽和壓降低，電壓、電流容量較大， 安全工作區(qū)...
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