技術(shù)編號：7460886
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及使用場效應晶體管和二極管的功率轉(zhuǎn)換裝置。背景技術(shù)作為現(xiàn)有的使用寬帶隙半導體元件的功率轉(zhuǎn)換裝置，存在一種具有2個半導體開關的電壓型功率轉(zhuǎn)換裝置，其中半導體開關由寬帶隙半導體FET(場效應晶體管)和反向并聯(lián)連接(反并聯(lián)連接)于上述FET的寬帶隙半導體回流二極管構(gòu)成，且上述2個半導體開關與起到作為電壓源作用的電容器相連接。該功率轉(zhuǎn)換裝置通過使上述2個半導體開關FET互補地進行開關動作來進行功率轉(zhuǎn)換。相對于硅半導體IGBT和二極管而言，寬帶隙半導體FET...
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