技術(shù)編號(hào):7495400
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種集成電路,特別是涉及一種靜電放電(electrostaticdischarge, 簡(jiǎn)稱ESD)保護(hù)裝置,用以提供具有比公知硅控整流器(siliconcontrolled rectifier,簡(jiǎn) 稱SCR)低的觸發(fā)電壓的靜電放電電流路徑。僅藉由實(shí)施例方式,本發(fā)明應(yīng)用橫向雙擴(kuò)散金 屬氧化物半導(dǎo)體(lateraldouble-diffused M0S,簡(jiǎn)稱LDM0S)場(chǎng)效晶體管、高電壓場(chǎng)效晶 體管與低電壓場(chǎng)效晶體管,用以提供較佳的靜電放電保護(hù)。背景...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。