技術(shù)編號(hào)：7506480
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的目的是在由MOS器件構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置中，通過控制從外部接收信號(hào)到器件自身實(shí)際動(dòng)作的時(shí)間，從而提高響應(yīng)性和效率并降低EMI噪聲和損耗。背景技術(shù) 在用外部信號(hào)驅(qū)動(dòng)的末級(jí)MOS器件中，從接收外部關(guān)斷信號(hào)開始到器件實(shí)際關(guān)斷為止的延遲時(shí)間很長(zhǎng)。這是由圍繞器件柵極的電容引起的。目前，對(duì)于柵極的導(dǎo)通和關(guān)斷，通過調(diào)節(jié)串聯(lián)插入到柵極中的電阻合適地進(jìn)行柵極的充電和放電。即，根據(jù)由柵極電容C和柵極電阻R決定的CR時(shí)間常數(shù)來(lái)決定柵極電壓的上升和下降時(shí)間。器件本身的電流開始...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。