技術(shù)編號(hào)：7514011
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)。 背景技術(shù)當(dāng)超過(guò)晶體管裝置的結(jié)擊穿的電壓出現(xiàn)在集成電路中時(shí)，驟回已經(jīng)成為集成電路中 的一個(gè)問(wèn)題。目前通過(guò)提供此項(xiàng)技術(shù)中已知的保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)來(lái)處理此問(wèn)題。保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)只 是將驟回減到最小但不會(huì)消除驟回。在例如非易失性存儲(chǔ)器的電路中，使用高壓P溝道和N溝道MOS晶體管裝置來(lái)形 成閂鎖電路以存儲(chǔ)寫入數(shù)據(jù)。高壓N溝道驅(qū)動(dòng)器是漏的，導(dǎo)致備用期間的備用電流流動(dòng)。 這還導(dǎo)致閂鎖電路在高壓操作期間翻轉(zhuǎn)狀態(tài)，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)破壞。高壓閂鎖電路中的翻轉(zhuǎn)階段和數(shù)據(jù)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。