技術(shù)編號：7514453
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域，尤其是涉及一種基于背柵氧化鋅納米線場效應(yīng)晶體管的直接耦合場效應(yīng)邏輯(Direct-coupledFETLogic, 簡稱DCFL)的。背景技術(shù)ZnO是一種n - VI族直接帶隙的新型多功能化合物半導(dǎo)體材料，被稱為 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料。ZnO晶體為纖鋅礦結(jié)構(gòu)，禁帶寬度約為3.37eV， 激子束縛能約為60meV。 ZnO具備半導(dǎo)體、光電、壓電、熱電、氣敏和透明 導(dǎo)電等特性，在傳感、聲、光、電等諸多領(lǐng)域有著廣闊的潛在應(yīng)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。