技術編號:7517992
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于射頻集成電路設計的,涉及一種鍺化硅雙極一互補金屬氧化 物半導體(SiGe BiCMOS)射頻集成電路,具體地說是一個應用于860 960MHz頻段的SiGe BiCMOS工藝可變增益低噪聲驅動放大器。背景技術近年來,隨著射頻集成電路技術的迅速發(fā)展,日常生活中使用到了許多無線通信 產(chǎn)品,低成本和便攜性要求對這些無線通信產(chǎn)品設計提出了更高的標準。低噪聲驅動放大 器位于射頻前端,接受來自混頻器的信號然后發(fā)送給功率放大器,由于混頻器的轉換增益 不高,而功...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。
該類技術注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學習。